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KRi 射频离子源 RFICP 220
2022-03-21 10:04  点击:1578
品牌:KRI
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上海伯东代理美国原装进口 KRI 射频离子源 RFICP 220 高能量栅极离子源, 适用于离子溅镀, 离子沉积和离子蚀刻. 在离子束溅射工艺中, 射频离子源 RFICP 220 配有离子光学元件, 可以很好的控制离子束去溅射靶材, 实现的薄膜特性. 同样的在离子束辅助沉积和离子束刻蚀工艺中, 的离子光学元件能够完成发散和聚集离子束的任务. 标准配置下射频离子源 RFICP 220 离子能量范围 100 1200ev, 离子电流可以超过 800 mA.

 KRI 射频离子源 RFICP 220 技术参数:

型号

RFICP 220

Discharge 阳极

RF 射频

离子束流

>800 mA

离子动能

100-1200 V

栅极直径

20 cm Φ

离子束

聚焦, 平行, 散射

流量

10-40 sccm

通气

Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

典型压力

< 0.5m Torr

长度

30 cm

直径

41 cm

中和器

LFN 2000

 KRI 射频离子源 RFICP 220 应用领域:

预清洗

表面改性

辅助镀膜(光学镀膜)IBAD,

溅镀和蒸发镀膜 PC

离子溅射沉积和多层结构 IBSD

离子蚀刻 IBE

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